金融界2024年12月18日消息，国家知识产权局信息显示，西安思摩威新材料有限公司申请一项名为“低残余应力的高折射率负性OC光刻胶、光固化图案的制备方法和应用”的专利，公开号 CN 119126490 A，申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示，本发明属于高分子材料技术领域，涉及一种低残余应力的高折射率负性OC光刻胶及其制备方法和应用。该高折射率负性光刻胶，按重量份数计，原料至少包括：高折射率纳米粒子 10～22 份，环氧单体 2～3 份，丙烯酸树脂 3～10 份，丙烯酸单体 1～3 份，光引发剂 1.5～4 份，光敏剂 0～4 份，表面活性剂 0.01～0.5 份，固化剂 0～2 份，溶剂 30～70 份。本发明通过在配方中通过添加环氧单体(螺环原碳酸酯类化合物)与纳米粒子能够形成稳定的相互作用，用以改善纳米粒子在聚合物基体中的分散性，从而优化光刻胶的整体性能。